HAL4903线性霍尔芯片为小型、通用、线性电流检测霍尔传感器， 其输出信号电平决定于施加在器件敏感面的磁场强度，随磁场强度成比例地变化。当 HAL4903线性霍尔芯片处于零磁场条件时，其输出电压是电源电压的一半。TO-92S封装产品，S磁极出现在 HAL4903线性霍尔芯片标记...

HAL4904线性霍尔元件为小型、通用、线性电流检测霍尔传感器， 其输出信号电平决定于施加在器件敏感面的磁场强度，随磁场强度成比例地变化。当 HAL4904线性霍尔元件处于零磁场条件时，其输出电压是电源电压的一半。TO-92S 封装产品 S 磁极出现在 HAL4904线性霍尔元件...

HAL1104是⼀款采⽤BCD⼯艺⽣产制作的单极型霍尔效应传感器，具备⾼灵敏度、⾼可靠性、⾼稳定性等优势。该产品内部集成了稳压电路、霍尔电压发⽣器、动态偏移补偿系统、施密特触发器、开漏输出等多个模块。⾼达47V的电源耐压与反向保护电路进⼀步提⾼了其可靠性。设计⽤于响应⼀个磁场：N...

HAL1105是⼀款采⽤BCD⼯艺⽣产制作的单极型霍尔效应传感器，具备⾼灵敏度、⾼可靠性、⾼稳定性等优势。该产品内部集成了稳压电路、霍尔电压发⽣器、动态偏移补偿系统、施密特触发器、开漏输出等多个模块。⾼达47V的电源耐压与反向保护电路进⼀步提⾼了其可靠性。设计⽤于响应⼀个磁场：N...

HAL5781是⼀款基于混合信号COMS技术的单极霍尔效应传感器IC。这款IC采⽤了先进的斩波稳定技术，因⽽能够提供准确⽽稳定的磁开关点。除了下表中所列应⽤之外，这颗霍尔器件还有许多应⽤领域。但从它的设计、规格和性能来看，它特别适合应⽤于固态开关。 当⾜够强的N极磁场朝向封装有标...

HAL1253是一颗微功耗、高灵敏度N极单极性的霍尔开关传感装置。 HAL1253内部电路包含了霍尔薄片、电压稳压模块、信号放大处理模块、动态失调消除模块及CMOS输出级。由于HAL1253 使用先进的Bi-CMOS 工艺，整体优化了的线路结构，使得产品获得极低的输入误差反馈。产...

HAL1255是⼀颗微功耗、⾼灵敏度单极性的霍尔开关传感装置。 HAL1255内部电路包含了霍尔薄⽚、电压稳压模块、信号放⼤处理模块、动态失调消除模块及CMOS输出级。由于HAL1255使⽤先进的Bi-CMOS⼯艺，整体优化了的线路结 构，使得产品获 得极低的输⼊误差反馈。产品采...

HAL245D是基于双极半导体结合CMOS(BiCMOS)⼯艺设计⽣产，是南极和北极敏感型全极性霍尔效应开关，器件内部集成了电压发⽣器，可在2.5V⾄24V的电源电压下⼯作的稳压器，反向电压保护电路，温度补偿电路，⼩信号放⼤器，施密特触发器和集电极开路 输出。 传感器可以在南极和...

HAL1101A是⼀款采⽤BCD⼯艺⽣产制作的单极型霍尔效应传感器，具备⾼灵敏度、⾼可靠性、⾼稳定性等优势。该产品内部集成了稳压电路、霍尔电压发⽣器、动态偏移补偿系统、施密特触发器、开漏输出等多个模块。⾼达47V的电源耐压与反向保护电路进⼀步提⾼了其可靠性。设计⽤于响应⼀个磁场：...

HAL1101B是单极型的霍尔效应开关IC，采⽤先进的BiCMOS制程制造，具有优异的温度稳定性和很⾼的抗机械应⼒性能，产品最⾼⼯作温度可以达到150℃。 HAL1101B采用动态失调消除技术以及先进电子专利保护的温度补偿技术，⼤幅降低了由于封装应⼒，环境温度变化等因素造成的失调...

HAL1103是⼀款采⽤BCD⼯艺⽣产制作的单极型霍尔效应传感器，具备⾼灵敏度、⾼可靠性、⾼稳定性等优势。该产品内部集成了稳压电路、霍尔电压发⽣器、动态偏移补偿系统、施密特触发器、开漏输出等多个模块。⾼达47V的电源耐压与反向保护电路进⼀步提⾼了其可靠性。设计⽤于响应⼀个磁场：N...

HAL2481G 是采⽤ BCDMOS 技术设计的⾼灵敏度全极常闭微功耗霍尔开关芯⽚。芯⽚内部包含复位，稳压，控制逻辑，振荡，偏置，⽐较器，输出驱动器等电路。此外，机械应⼒对芯⽚的磁性参数影响很⼩。该系列芯⽚传感器适⽤于电⼦消费类、⼯业控制领域。

HAL253G是⼀款基于混合信号CMOS技术的全极性霍尔效应传感器，这款IC采⽤了先进的斩波稳定技术，因⽽能够提供准确⽽稳定的磁开关点。 HAL253G的输出晶体管在⾯向封装标⽰⼀⾯存在⼀定强度南极或北极磁场时被锁定在低电平(BOP)状态，⽽在⽆磁场时锁定在⾼电平(BRP)状态。

HAL245G是⼀款基于混合信号CMOS技术的全极性霍尔效应传感器，这款IC采⽤了先进的斩波稳定技术，因⽽能够提供准确⽽稳定的磁开关点。 HAL245G的输出晶体管在⾯向封装标⽰⼀⾯存在⼀定强度南极或北极磁场时被锁定在低电平(BOP)状态，⽽在⽆磁场时锁定在⾼电平(BRP)状态。

HAL3181采⽤⾼压BCD⼯艺制程，是⼀款耐⾼压双极霍尔开关传感器。该芯⽚内部由电压稳压单元，霍尔电压发⽣器，差分放⼤电路，温度补偿电路，集电极开路输出电路组成。输⼊磁感应强度，输出为数字电压信号。可耐⾼电压冲击，具有极强的抗噪能⼒。⼯作温度范围为-40℃⾄125℃，⼯作电压从...

TMR1302微功耗磁传感器是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和 CMOS 技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的全极磁开关。 TMR1302微功耗磁传感器采用高精度推挽式半桥 TMR 磁传感器和 CMOS 集成电路，包括 TMR 电压发生器、比较器、施密特触发器和...

TMR1202微功耗磁阻开关是一款集成了隧道磁阻（TMR）传感器和CMOS技术，为高灵敏度、高速、低功耗、高精度应用而开发的双极磁开关。 TMR1202微功耗磁阻开关采用高精度推挽式半桥TMR磁传感器和CMOS集成电路，包括TMR电压发生器、比较器、施密特触发器和CMOS输出电路...

HAL3226是⼀款基于BiCMOS技术兼具⾼性能和⾼可靠性。霍尔IC内部包括⼀个⽚上霍尔电压发⽣器、⼀个⼯作电压为2.8V⾄24V的稳压器、⼀个⼩信号放⼤器、具有动态偏移消除功能的霍尔传感器、⼀个施密特触发器和⼀个漏极开路输出过流保护。 HAL3226采⽤了采⽤温度补偿技术，使...

HAL5913是⼀款低功耗线性霍尔效应传感器，内置放⼤器，8位AD/DA、温度补偿电路。芯⽚输出电压与电源电压成正⽐值，并与垂直于器件丝印标记表⾯的磁通密度成正⽐。⽆磁场时，输出电压为电源电压的⼀半。 HAL5913专为电池供电的消费设备、办公设备、家⽤电器和⼯业应⽤设计，可以在...

HAL5914是⼀款低功耗线性霍尔效应传感器，内置放⼤器，8位AD/DA、温度补偿电路。芯⽚输出电压与电源电压成正⽐值，并与垂直于器件丝印标记表⾯的磁通密度成正⽐。⽆磁场时，输出电压为电源电压的⼀半。 HAL5914专为电池供电的消费设备、办公设备、家⽤电器和⼯业应⽤设计，可以在...