霍尔开关 磁阻开关分类

霍尔开关与磁阻开关的技术比较 Hall,AMR,GMR,TMR技术比较 四代磁性传感技术: 第一代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器 第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器 第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器 第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器   Hall霍尔开关传感器工作原理 电子在磁场中受洛仑兹力作用下偏转,在磁场方向上形成附加的横向电场,即霍尔电场 纵向磁场感应   AMR各向异性磁电阻传感器 磁阻开关工作原理 单磁层器件  平行磁场感应 1~3% △R/R 工作在45°偏角 电流在薄膜平面流动 工作场范围窄   GMR巨磁电阻传感器 磁阻开关工作原理 电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射 大部分电子不能形成散射 室温条件下,GMR的最大电阻变化率(△R/R)<20%   TMR隧道磁电阻传感器 磁阻开关工作原理 TMR效应利用了电子的自旋特性,电子在通过第二层磁性材料时,电子的自旋方向被定义; 具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO(氧化镁)绝缘层,然后有选择性地穿过磁性层(自旋相同则通过——低电阻,否则不通过——高电阻); 室温条件下,TMR的最大电阻变化率(△R/R)可达500%以上。
| 发布时间:2019.12.18    来源:HALLWEE    查看次数:
分享到:

在线客服

售前
售后