(霍尔开关与磁阻开关)技术比较

Hall,AMR,GMR,TMR技术比较
四代磁性传感技术:
•第一代:Hall Effect Sensor——霍尔效应传感器
•第二代:AMR (Anisotropic Magneto Resistance) Sensor——各向异性磁电阻传感器
•第三代:GMR (Giant Magneto Resistance) Sensor——巨磁电阻传感器
•第四代:TMR (Tunneling Magneto Resistance) Sensor——隧道磁电阻传感器

Hall霍尔开关传感器工作原理
•电子在磁场中受洛仑兹力作用下偏转,在磁场方向上形成附加的横向电场,即霍尔电场
•纵向磁场感应

AMR各向异性磁电阻传感器 磁阻开关工作原理
•单磁层器件
• 平行磁场感应
•1~3% △R/R
•工作在45°偏角
•电流在薄膜平面流动
•工作场范围窄

GMR巨磁电阻传感器 磁阻开关工作原理
•电阻取决于在薄膜界面中自旋电子的散射
•大部分电子不能形成散射
•室温条件下,GMR的最大电阻变化率(△R/R)<20%

TMR隧道磁电阻传感器 磁阻开关工作原理
•TMR效应利用了电子的自旋特性,电子在通过第二层磁性材料时,电子的自旋方向被定义;
•具有自旋的电子通过量子隧穿效应穿过MgO(氧化镁)绝缘层,然后有选择性地穿过磁性层(自旋相同则通过——低电阻,否则不通过——高电阻);
•室温条件下,TMR的最大电阻变化率(△R/R)可达500%以上。

TMR的优势
•功耗低
•灵敏度/分辨率高
•工作范围宽
•工作温度范围大
•高频响,可达GHz
| 发布时间:2019.02.22    来源:HALLWEE    查看次数:
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